В этих системах, работающих на эффекте Пельтье, совмещены в едином блоке осветитель камеры лазера с термоэлектрическим холодильником. Применение таких систем оправдано при холодопроизводительности термобатарей 30 .40 Вт и при температуре окружающей среды до +50° С.

К достоинствам полупроводниковых систем следует отнести небольшую массу и габариты, сравнительно малую потребляемую. мощность, возможность быстрого перехода от режима охлаждения к режиму нагрева, возможность работы в широком диапазоне окружаю­щих температур, давлений, вибраций и ускорений. Однако при холоднопроизводйтельности 150 .200 Вт и более эти системы по габари­там и энергетическим параметрам уступают жидкостным и компрес­сионным системам. Импульсная лампа и кристалл, закрепленные в осветителе, кондуктивно охлаждаются шиной, изготовленной иа красной меди. Кристалл крепится к шине через мягкую подложку из. чистого индия, допускающую пластические деформация. В отверстие шины вставлены термисторы, которые управляют электрической схемой термо­батарей. При работе лазера медная шина играет роль своеобразного аккумулятора теплоты во время генерации излучения и аккумулятора холода во время пауз между вспышками. С целью обеспечения хорошего теплового контакта между теп-лоотводящей шиной и кристаллом рубина по образующей кристалла вжигается полоска серебра шириной 2,5 .3 мм, и толщиной 50 .70 мкм. Перепады температуры на поверхности кристалла от вспышек лампы могут достигать 20° С. Наибольшее влияние на добротность резона­тора при данной системе термостабилизации оказывает нессиметрич-ная термическая деформация кристалла, имеющая характер опти­ческого клина. Полупроводниковая система термостабилизации соз­дана для лазеров, работающих с частотой повторения не более одной вспышки за 2 .5 с при q^ = 10 .15 Вт/см2. Коэффициент теплообме­на таких систем мал, и составляет 50 .100 Вт/(м2 • К).

Наконец, рассмотрим системы вихревого охлаждения, которые применимы и в нашем случае.